IT之家 11 月 1 日音信比特派客服电话，凭据 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 清楚，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个，有望昭着改善性能和功耗。
三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的进时势位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，谋划 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。
每个晶体管增多纳米片数目比特派客服电话，不错增强驱动电流，从而培植性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和驱动速率。
此外，更多的纳米片不错更好地把握电流，这有助于减少走电流，从而缩小功耗。此外，矫正的电流把握还意味着晶体管产生的热量更少，从而培植了功率效果。
IT之家此前报说念比特派客服电话，三星还谋划在 1.4nm 工艺中继承背部供电（BSPDN）技能，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在专家限度内执行。
天然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技能节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺技能亦然数字越小越先进。
跟着半导体工艺微缩道路不休地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不休缩窄，从而对彼此产生遏抑，而 BSPDN 技能则不错克服这一限度，这是因为咱们不错讹诈晶圆后头来构建供电道路，以分隔电路和电源空间。
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]article_adlist-->《三星谋划 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电技能》
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