IT之家 11 月 1 日音讯，字据 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 涌现 比特派钱包下载，bitpie冷钱包，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个，有望知道改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的进局面位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，筹谋 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而进步性能 比特派钱包下载，bitpie冷钱包，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关智商和脱手速率。

此外，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流，从而缩小功耗。此外，革命的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而进步了功率效果。

IT之家此前报谈 比特派钱包下载，bitpie冷钱包，三星还筹谋在 1.4nm 工艺中汲取背部供电（BSPDN）本领，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在民众鸿沟内奉行。

天然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为本领节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺本领亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩阶梯抑遏地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也抑遏缩窄，从而对彼此产生干与，而 BSPDN 本领则不错克服这一罢休，这是因为咱们不错诓骗晶圆后头来构建供电阶梯，以分隔电路和电源空间。

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《三星筹谋 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电本领》

比赛时间：2023-09-21 8:30 

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